【摘 要】
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简述了高屏蔽射频同轴电缆组件的设计要点，并介绍了国外超高屏蔽射频电缆的结构和性能，较详细地讨论了自行研制的电缆组件的主要技术指标、电压驻波比、插入损耗、射频泄漏及电
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简述了高屏蔽射频同轴电缆组件的设计要点，并介绍了国外超高屏蔽射频电缆的结构和性能，较详细地讨论了自行研制的电缆组件的主要技术指标、电压驻波比、插入损耗、射频泄漏及电缆屏蔽衰减等测试方法并给出了测试结果。在２～１８ＧＨｚ频带范围内：ＶＳＷＲ≤１．４；插入损耗为２ｄＢ；在２ＧＨｚ：射频泄漏不大于－９０ｄＢ，屏蔽衰减为９０ｄＢ．达到了预定的技术指标。
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