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利用台阶仪，扫描电镜和Ｘ射线双晶衍射仪，研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大，外表面损伤大，但损伤层的工要小于圆切割硅片。
线切割单晶硅表面损伤的研究
【摘 要】
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利用台阶仪，扫描电镜和Ｘ射线双晶衍射仪，研究了线切割硅片和内圆切割硅片的表面切割损伤和损伤层厚度。实验指出线切割硅片表面粗糙度大，外表面损伤大，但损伤层的工要小于圆切割硅
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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材料科学与工程
【发表日期】
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1999年2期
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