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对 8 0年代末出现、90年代迅速发展起来的离子背注入发射区的NPT -IGBT进行简单介绍 ,包括其结构、制造、性能特点和优缺点。
引人注目的新型IGBT：NPT—IGBT
【摘 要】
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对 8 0年代末出现、90年代迅速发展起来的离子背注入发射区的NPT -IGBT进行简单介绍 ,包括其结构、制造、性能特点和优缺点。
【机 构】
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北京晶川电子技术发展有限公司
【出 处】
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电焊机
【发表日期】
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2000年4期
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