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利用共沉淀方法制备了Al掺杂SnO2材料。并通过XRD与R-t特性测试仪，研究其相结构与R-t特性。结果表明：600℃煅烧获得了高纯、四方相的Al掺杂SnO2，其晶粒度为9.8nm；且具有良好的NTC效应，材料常数为4484K。利用半导体热力学理论讨论了Al掺杂SnO2材料的NTC特性机理。
Al掺杂SnO2材料的NTC热敏特性的研究
【摘 要】
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利用共沉淀方法制备了Al掺杂SnO2材料。并通过XRD与R-t特性测试仪，研究其相结构与R-t特性。结果表明：600℃煅烧获得了高纯、四方相的Al掺杂SnO2，其晶粒度为9.8nm；且具有良好的NTC
【机 构】
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中南大学材料科学与工程学院
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2008年12期
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