【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术,用氮气作为掺杂源,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO薄膜,并将薄膜分别在550,600,650,700℃真空中进行热退火处理.结果表明：晶体质量随退火温度的升高而
【机 构】
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北华大学物理学院,吉林大学物理学院
【基金项目】
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吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目（批准号：2013189）
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采用射频磁控溅射技术,用氮气作为掺杂源,在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO薄膜,并将薄膜分别在550,600,650,700℃真空中进行热退火处理.结果表明：晶体质量随退火温度的升高而提高；薄膜中Mg和Zn的原子比发生了变化；Raman光谱中位于272,642cm-1处的振动峰逐渐消失；室温光致发光光谱中薄膜的紫外激子发射峰变强,且发生峰移；随着退火温度的升高,薄膜的导电类型发生转变,当退火温度为600℃时,薄膜呈最佳的p型导电性质.
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