【摘 要】
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据文献[1-7]报道,多晶硅薄膜的结晶粒度、晶界分布及载流子复合截面的大小直接与膜的生长工艺条件有关,它是影响光伏器件的质量和效率的重要因素。为了增大结晶粒度,降低晶
【机 构】
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中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所,中国科学院长春应用化学研究所
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据文献[1-7]报道,多晶硅薄膜的结晶粒度、晶界分布及载流子复合截面的大小直接与膜的生长工艺条件有关,它是影响光伏器件的质量和效率的重要因素。为了增大结晶粒度,降低晶界损失,提高光生载流子的收集效率,以满足制备高效率、低成本的光伏器件的需要,我们在用CVD法研制多晶硅薄膜过程中,较系统地研究了各种工艺参数对多晶硅薄膜的晶
According to the literature [1-7], the grain size, grain boundary distribution and carrier recombination cross section of polycrystalline silicon film are directly related to the growth process of the film, which is an important factor affecting the quality and efficiency of the photovoltaic device. In order to increase the grain size, reduce the grain boundary loss, and improve the collection efficiency of photo-generated carriers, so as to meet the need of high efficiency and low cost photovoltaic devices, we systematically studied Various process parameters on the polycrystalline silicon film
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