【摘 要】
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利用光抽运-太赫兹探测技术,研究了ZnSe纳米薄膜的载流子弛豫过程和太赫兹波段电导率的时间演化过程.通过监测THz探测脉冲的变化,系统地研究了ZnSe纳米晶在光激发载流子诱导
【机 构】
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上海电力大学电子与信息工程学院,上海200082;中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083
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利用光抽运-太赫兹探测技术,研究了ZnSe纳米薄膜的载流子弛豫过程和太赫兹波段电导率的时间演化过程.通过监测THz探测脉冲的变化,系统地研究了ZnSe纳米晶在光激发载流子诱导下的瞬态光电导特性,并用Drude-Smith模型对瞬态电导率进行了拟合.在400 nm的激光脉冲激励下,太赫兹脉冲的负透过率呈现出超快的上升和双指数衰减现象.时间常数为5 ps的快速衰减过程主要由ZnSe纳米晶界面缺陷处的光载流子后向散射控制,而时间常数大于1 ns的慢衰减过程主要是由载流子从导带到价带的复合引起的.瞬态电导率随时间的演化表明,ZnSe纳米材料是制备超快THz开关的很好的备选材料.
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