三菱和松下开发高集成DRAM混合组装的系统LSI

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三菱电机、松下电器产业,松下电子工业从1998年开始共同开发下一代系统LSI技术,作为最早的成果,已研究高集成DRAM系统LSI工艺技术。rnrn 采用W多金属门等,达到世界最高门密度190kG/mm2。采用堆积接触(スタツクュンタヶメ)结构实现高集成逻辑和高密度DRAM混合组装。另外还采用6层Cu隐埋配线技术。根据这些特征,逻辑/DRAM混载样品的配线管脚是世界上最小的,特别是逻辑处的集成度根据美日的共同技术标准已达到0.13μm高密度。rn 根据这种新技术,在100mm2的芯片上可装载64M DRAM和1000万门逻辑,可应用于DVD产品、STB、数字TV等数字家电的各种多媒体领域。 (一凡)
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