【摘 要】
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应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1—xGex和Si材料．在此低温下，有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰．X射线分析结
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,国家模拟电路实验室
【基金项目】
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国家部委预研基金(批准号:41308060108),,模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:51439010101DZ01)资助项目~~
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应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1—xGex和Si材料．在此低温下，有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰．X射线分析结果表明Si1-xGex材料结晶状况良好，二次离子质谱分析结果表明多层Si1-xGex／Si材料界面陡峭，说明该技术能够生长出高质量的应变Si1-xGex／Si材料。
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