半导体温度敏感器件

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本文就半导体温度敏感器件的原理、特性及应用等作一阐述。 六十年代初,美国为了适应低温及超导技术发展的需要,首先研制和生产了砷化镓温敏二极管,之后,又研制和生产了硅温敏二极管。 在一定模式的工作电流下,二极管的正向电压与温度之间具有良好的线性关系,温敏二极管就是利用这一特性工作的。 This article describes the principle, characteristics and applications of semiconductor temperature-sensitive devices. In the early 1960s, in order to meet the needs of low temperature and superconducting technologies, the United States first developed and produced gallium arsenide thermosensitive diodes, and then developed and produced silicon temperature sensitive diodes. In a certain mode of operating current, the diode forward voltage and temperature have a good linear relationship between the temperature-sensitive diode is the use of this feature.
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