搅拌条件下电流密度对Cu镀层的织构和表面形貌的影响

• 作 者: 辜敏 黄令 杨防祖 姚士冰 周绍民
• 机 构: 汕头大学化学系,固体表面物理化学国家重点实验室
• 出 处: 应用化学
• 发表日期: 2002年3期
• 关键词: 电沉积 Cu镀层 晶体取向 表面形貌 搅拌 电流密度 铜 电镀 织构 electrodeposition Cu deposit crystal orientat

研究了H2SO4+CuSO4电解液分别在静止、机械搅拌和空气搅拌作用下,电流密度对所获得的铜电沉积层晶体取向和表面形貌的影响. XRD和SEM实验结果都表明,电流密度是造成Cu镀层织构和表面形貌变化的主要原因. 电流密度低于6.0 A/dm2时,Cu镀层呈现(110)晶面择优;高于15.0 A/dm2时,呈现(111)晶面择优. 随电流密度提高,Cu电结晶由侧向生长模式转向向上生长模式. 搅拌作用的加强有利于晶体的生长.