【摘 要】
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叙述了最近几年来国外研制超高速高电子迁移率晶体管集成电路的进展情况。现在用该器件做成了直接耦合场效应晶体管逻辑电路,在77K下,环形振荡器的延迟时间已经缩短到5.8ps/
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叙述了最近几年来国外研制超高速高电子迁移率晶体管集成电路的进展情况。现在用该器件做成了直接耦合场效应晶体管逻辑电路,在77K下,环形振荡器的延迟时间已经缩短到5.8ps/门,1/2分频器的输入频率是13GHz。因此,研制结果表明高电子迁移率晶体管是当前已知的半导体器件中速度最快的一种器件,这种器件非常适合制造高速LSIC,对开发超高速电子计算机有重要意义。
Describes the progress made in foreign countries in recent years to develop super high speed and high electron mobility transistor integrated circuits. Now with the device made of direct-coupled field effect transistor logic circuit, ring oscillator in 77K, the delay time has been shortened to 5.8ps / door, 1/2 frequency divider input frequency is 13GHz. Therefore, the results show that high electron mobility transistor is currently the fastest known semiconductor devices, a device that is very suitable for manufacturing high-speed LSIC, the development of ultra-high-speed computer is of great significance.
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