【摘 要】
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阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院,中国电子科技集团公司第五十八研究所,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,东南大学电子科学与工程学院,
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阈值退化是器件特性退化最重要的表征.本文以研究SOISONOSEEPROM器件的前栅和背栅阈值电压在辐照环境下的漂移为入手点,深入研究了在辐照情况下器件的退化;并从物理能带和载流子漂移的角度,分析了导致阈值电压漂移的物理机理,提出了提高器件性能的措施.
Threshold degradation is the most important characterization of device degradation.In this paper, the drift of the front gate and the back gate threshold voltage of SOISONOSEEPROM device in the irradiation environment is studied, and the degradation of the device under the irradiation is studied thoroughly. Energy band and carrier drift point of view, the physical mechanism leading to the threshold voltage drift is analyzed, and measures to improve device performance are proposed.
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