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C2H2/N2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究
C2H2/N2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究
来源 :真空科学与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:philipsyin
【摘 要】
:
以C2H2和N2为反应气体,Ar作载气,用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti(C,N)薄膜。所制轩的薄膜分别用SEM,XRD,XPS等技术进行分析与测试。结果表明,薄膜结构比较致密,膜厚在1.5-2.0μm。
【作 者】
:
辛煜
范叔平
吴建新
金宗明
杨礼富
【机 构】
:
苏州大学薄膜材料实验室,中国科技大学结构中心,苏州大学分析与测试中心
【出 处】
:
真空科学与技术
【发表日期】
:
1997年5期
【关键词】
:
多弧离子法
高速钢
薄膜
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以C2H2和N2为反应气体,Ar作载气,用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti(C,N)薄膜。所制轩的薄膜分别用SEM,XRD,XPS等技术进行分析与测试。结果表明,薄膜结构比较致密,膜厚在1.5-2.0μm。
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