【摘 要】
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本文报道了采用石墨舟蒸发In_2O_3和SnO_2混合物(W_t=10％),获得了电阻率为3×10~(-4)Ω·cm、在可见光范围内透过率大干95％的ITO薄膜。用它制作部分次品多晶硅电池的抗反射膜,
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本文报道了采用石墨舟蒸发In_2O_3和SnO_2混合物(W_t=10％),获得了电阻率为3×10~(-4)Ω·cm、在可见光范围内透过率大干95％的ITO薄膜。用它制作部分次品多晶硅电池的抗反射膜,其短路电流密度与没有抗反射膜的同样电池相比,提高90.4％,开路电压提高10mV左右。
In this paper, an ITO thin film with a resistivity of 3 × 10 ~ (-4) Ω · cm and a large transmittance of 95% in the visible range was obtained by evaporating a mixture of In 2 O 3 and SnO 2 (W_t = 10%) with a graphite boat. Using it to make partial anti-reflective film of defective polycrystalline silicon cell, the short-circuit current density is 90.4% higher than that of the same cell without anti-reflection film, and the open circuit voltage is increased by about 10mV.
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