【摘 要】
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据日本《电子技术》1996年第8期报道，日本富士通公司为了1GbitDRAM的规模生产需要，开发了ArF准分子激光曝光技术，成功地形成了用于4GbitDRAM的0．13μm尺寸的图形。ArF准分子激光（
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据日本《电子技术》1996年第8期报道，日本富士通公司为了1GbitDRAM的规模生产需要，开发了ArF准分子激光曝光技术，成功地形成了用于4GbitDRAM的0．13μm尺寸的图形。ArF准分子激光（波长193nm）因比原i线光学光刻（波长365nm）的波长短，所以必须同时开发新的光刻材料。该公
According to Japan’s “Electronic Technology” No. 8, 1996 reported that Japan’s Fujitsu company in order to 1GbitDRAM large-scale production needs to develop ArF excimer laser exposure technology, successfully formed for the 4GbitDRAM 0.13μm size graphics. ArF excimer laser (193nm wavelength) than the original i-line optical lithography (wavelength 365nm) shorter wavelength, it is necessary to develop new lithography materials. The public
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