InGaAs/InAlAs RTD I-V特性的量子力学隧穿模拟

• 作 者: 何红波 周继承 胡慧芳 李义兵
• 机 构: 长沙铁道学院信息学院材料研究所!410075,长沙铁道学院信息学院材料研究所!410075,长沙铁道学院信息学院材料研究所!410075,长沙铁道学院信息学院材料研究所!410075
• 出 处: 半导体杂志
• 发表日期: 2000年01期
• 关键词: 共振隧穿二极管 隧穿 偏压 波包 德布罗意波长 势垒 势阱 波函数 一维波 量子器件

本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验符合得很好。

In this paper, the current bias curves of InGaAs / InAlAs resonant tunneling diodes (RTDs) are obtained by numerical solution of the time-dependent Schrodinger equation. We find that the numerical simulation results are in good agreement with the experimental results.