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用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4～8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带.
GaP纳米复合发光材料的合成及性质
【摘 要】
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用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4～8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室
【出 处】
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材料科学与工程学报
【发表日期】
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2000年z2期
【基金项目】
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本项目得到了国家自然科学基金(批准号 59823003)和中国科学院激发态物理开放研究实验室的资助
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