基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器

• 作 者: 罗源 李凌云 钱蓉 喻筱静 孙晓玮
• 机 构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2007年2期
• 关键词: 高阻硅 微带线 微波损耗 移相器 high - resistivity silicon transmission line microwave loss p

在高阻硅衬底上微波传输线以及工作在7.5～8.5GHz频带的四位数字移相器.测试表明,在高阻硅衬底上制备的50Ω微带线在5～15GHz频率范围内的插入损耗低于0.8dB/cm;在同样衬底上用混合集成技术制作的7.5～8.5GHz四位数字移相器的各状态插入损耗为（7.5±3）dB,回波损耗大于12dB,均方根（RMS）相位误差小于5°.具有良好的微波器件性能.