ITO薄膜可见光区增透性能研究

• 作 者: 李仁莹 王明 董国波 高方圆 唐芳 王玫 刁训刚
• 机 构: 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2013年11期
• 关键词: SIO2薄膜 增透 ITO薄膜 SiO2 thin film antireflection ITO thin film

采用MPS单极性脉冲磁控溅射法，在PMMA衬底上制备SiO2增透薄膜，通过改变溅射时间达到最优的增透效果。在此基础上，制备了不同溅射时间的ITO薄膜，系统研究了增透前后的可见光透过率、方块电阻和红外发射率的变化。实验结果表明，增透后薄膜可见光平均透光率提高大约6％，对于溅射时间小于60min的ITO薄膜增透之后的平均透光率达到80％以上，同时薄膜的方块电阻以及红外发射率变化较小。