【摘 要】
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2016年7月19日昭和电工(昭和電工株式会社)正式对外宣布,其与大阪大学菅沼克昭教授联合开发的耐高温SiC半导体基板已获得成功。通常对半导体基板要求能够承受200℃左右的高温
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2016年7月19日昭和电工(昭和電工株式会社)正式对外宣布,其与大阪大学菅沼克昭教授联合开发的耐高温SiC半导体基板已获得成功。通常对半导体基板要求能够承受200℃左右的高温,而该基板在300℃下也能正常工作,拥有良好的应用前景。
July 19, 2016 Showa Denko (Showa Denko) officially announced that it has succeeded in producing a high-temperature-resistant SiC semiconductor substrate jointly developed with Professor Kanigaki Kanazawa of Osaka University. Generally, a semiconductor substrate is required to withstand a high temperature of about 200 ° C., and the substrate can also work normally at 300 ° C., and has good application prospect.
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