论文部分内容阅读
研究了不同沉积方式和工艺参数对沉积在K9基底上的单层ZnS、YbF3薄膜和多层ZnS／YbF3薄膜缺陷的影响，发现基底温度和蒸发速率等工艺参数对缺陷的产生有较大的影响，太高或太低的基底温度和蒸发速率都会导致缺陷增加，采用电子束蒸发和蒸发源形状不同的阻蒸蒸发方式，缺陷密度分布有较大的差异。通过比较不同蒸发方式和工艺参数所镀薄膜的缺陷密度，找到了现有工艺条件下缺陷密度最小的最佳蒸发方式和工艺参数。