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研究了用热壁外延法在GaAs衬底上生长的不同x含量的Zn1-xMnxSe薄膜，通过X射线衍射和喇曼光谱的研究表明，晶体的质量取决于Mn的含量，随着Mn的含量的增高，晶体的质量下降。
稀磁半导体Zn—xMnxSe／GaAs外延膜光学特性研究
【摘 要】
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研究了用热壁外延法在GaAs衬底上生长的不同x含量的Zn1-xMnxSe薄膜，通过X射线衍射和喇曼光谱的研究表明，晶体的质量取决于Mn的含量，随着Mn的含量的增高，晶体的质量下降。
【机 构】
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长沙电力学院物理与信息工程系
【出 处】
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长沙水电师院学报：自然科学版
【发表日期】
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2001年3期
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