CaMgSi2O6：Eu的真空紫外光谱特性

• 作 者: 周丹 何大伟 侯涛
• 机 构: 北京交通大学光电子技术研究所
• 出 处: 光谱学与光谱分析
• 发表日期: 2007年5期
• 关键词: CaMgSi2O6:Eu等离子显示屏 真空紫外 CaMgSi2O6 ： Eu Plasma display panel Vacuum ultraviolet

采用高温固相反应利用原料CaCO3，MgO，SiO2和Eu2O3合成了CaMgSi2O6：Eu^3＋样品，并研究了其结构特性、光谱特性。CaMgSi2O6：Eu^3＋属于单科晶系，基质掺入Eu离子后结构没有明显变化。CaMgSi2O6：Eu^3＋在147nm真空紫外光激发下呈红色发射，发射主峰位于611nm，是Eu^3＋的^5D0→^7F2跃迁的典型发射。当Eu^3＋的相对摩尔浓度在0．02到0．10mol之间变化时，由相关数据可以发现有浓度猝灭现象发生。CaMgSi2O6：Eu^2＋在172nm真空紫外