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用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管.在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的.在低温下,二极管的I-V特性曲线显示了典型的p-n结整流特性,并且具有很低的开启电压(4 V).在实验中得到了位于蓝紫区的电致发光.
在蓝宝石衬底上生长的氧化锌p-n同质结发光二极管
【摘 要】
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用等离子体辅助的分子束外延的方法在蓝宝石衬底上生长了氧化锌的p-n同质结发光二极管.在实验中p型ZnO层是采用NO等离子体作为掺杂剂生长的.在低温下,二极管的I-V特性曲线显
【机 构】
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中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院激发态物理重点实验室
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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2005年4期
【基金项目】
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国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，中国科学院知识创新工程项目
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