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近年来,由于III族氮化物半导体InN 及它的化合物在光电子和微电子器件上的广阔应用前景,已引起了人们极大的兴趣.是由于低的分解温度和高的氮平衡气相压力,使氮化铟的生长变得非常困难.直接生长的未掺杂InN薄膜都具有高的n 型导电性[1],其带隙的不确定性也为人们讨论的热点[2].大多数人认为这些问题与氧有关,因此研究InN晶体表面的氧吸附是很有意义的.