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通过对全耗尽SOI器件硅膜中的同电位分布采用准三阶近似，求解亚阈区的二维泊松方程，得到全耗尽器件的表面势公式，通过引的的参数，对公式进行修正，建立深亚微米全耗尽器件的表面热模型，能够很好地描述漏感应势垒降低效应，在此基础上，建立了亚阀漏电流模型，它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性，模型计算结果与二维器件模拟软件MEDICI的模拟结果相符。