CVD法在电致发光粉表面包覆SiO2膜

来源 :表面技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cunkjiang

【摘要】

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以硅酸乙酯和氧气作为前驱体,在500℃下, 采用流态化CVD法,对ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,对膜层进行了SEM、EDX、AgNO 3抗腐蚀、发光亮度等测试.结果显示:发光粉颗粒

【作者】

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李志强李娟田少华韦志仁

【机构】

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河北大学物理科学与技术学院

【出处】

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表面技术

【发表日期】

：

2004年2期

【关键词】

：

电致发光粉 SIO2 包膜 CVD ACEL phosphor Coating CVD Silicon dioxide

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以硅酸乙酯和氧气作为前驱体,在500℃下, 采用流态化CVD法,对ZnS:Cu电致发光粉表面包覆SiO2薄膜,对膜层进行了SEM、EDX、AgNO 3抗腐蚀、发光亮度等测试.结果显示:发光粉颗粒表面明显存在一定量的SiO2.包覆的发光粉耐AgNO3腐蚀时间能达121h之久,样品的初始发光亮度均能达到未包覆样品的70%以上,包膜样品的发光光谱峰没有产生大的移动.

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