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利用直流溅寺在ＬａＡｌＯ３基片上生长了Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３外延薄膜。测量了薄膜样品退火前后在零场和外加磁场中的电阻率和磁阻随温度的变化。实验发现，随着基片温度的升高，磁阻在减少；电阻在率最高峰位高温区移动；溅射温度为６５０℃的样品，磁阻效应最大。
制备条件对La0.67Sr0.33MnO3外延薄膜结构及磁电阻的影响
【摘 要】
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利用直流溅寺在ＬａＡｌＯ３基片上生长了Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３外延薄膜。测量了薄膜样品退火前后在零场和外加磁场中的电阻率和磁阻随温度的变化。实验发现，随着基片温度的升高，磁阻在减少；电阻在率最高峰位高温
【机 构】
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中国科学技术大学结构分析开放实验室,新疆大学物理系,中科院固体物理研究所
【出 处】
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低温物理学报
【发表日期】
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1997年2期
【基金项目】
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中国科学院重大项目资助
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