【摘 要】
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本文在传统的半导体外延工艺上生长了氮化镓Ga N和氧化锌Zn O两种第三代宽禁带半导体薄膜,并在此基础上通过半导体器件工艺制备了n-Zn O/i-Zn O/p-Ga N异质结紫外探测器,I-V
【机 构】
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本文在传统的半导体外延工艺上生长了氮化镓Ga N和氧化锌Zn O两种第三代宽禁带半导体薄膜,并在此基础上通过半导体器件工艺制备了n-Zn O/i-Zn O/p-Ga N异质结紫外探测器,I-V曲线和光响应度测试,器件显示了较低的反偏压漏电流和较强的紫外波段的光响应电流,优秀的性能充分地展示了该异质结探测器在军、民用中有着重要的应用前景。
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