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用X-射线双晶衍射,双晶形貌术和光致发光方法综合研究了In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP异质界面晶格失配对LPE晶体质量的影响。实验表明,异质界面晶格失配是导致外延层中位错和缺陷增多,杂质凝聚和辐射复合深中心增多的重要因素。
In1—xGaxAsyP1—y／InP异质界面晶格失配对外延晶体质量的影响
【摘 要】
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用X-射线双晶衍射,双晶形貌术和光致发光方法综合研究了In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP异质界面晶格失配对LPE晶体质量的影响。实验表明,异质界面晶格失配是导致外延层中位错和
【机 构】
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东北师范大学物理系,中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1990年3期
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