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利用磁控溅射方法制备了一系列超薄Ta（5nm）／Ni81Fel9（20nm）／Ta（3nm）磁性薄膜。着重研究了基片温度、缓冲层厚度对Ni81Fe19薄膜各相异性磁电阻（AMR）及磁性能的影响。利用X射线衍射仪分析了薄膜结构、晶粒取向；用四探针技术测量了薄膜的电阻率和各向异性磁电阻；用FD-SMOKE-A表面磁光克尔效应试验系统测量了薄膜的磁滞回线。结果表明：在基片温度为400℃时制备的Ni81Fe19薄膜具有较大的各向异性磁电阻效应和较低的磁化饱和场，薄膜最大各向异性磁电阻为3．5％，最低磁化饱和场为7