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本文用加栅的光电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）方法研究了半绝缘砷化镓材料的深能级缺陷，发现加栅后可使ＰＩＣＴＳ对ＥＬ２等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏，并分析了其中原因，认为材料中费米能级位置对ＰＩＣＴＳ结果有影响。
光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究
【摘 要】
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本文用加栅的光电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）方法研究了半绝缘砷化镓材料的深能级缺陷，发现加栅后可使ＰＩＣＴＳ对ＥＬ２等靠近禁带中央的缺陷变得灵敏，并分析了其中原因，认为材料中费米能级位置对ＰＩＣＴＳ结果有影响。
【机 构】
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复旦大学李政道物理学综合实验室,复旦大学李政道物理学综合实验室上海200433,上海200433
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1993年11期
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