InP和In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)的电学性质

• 作 者: 孟宪章 姚欣
• 机 构: 吉林大学电子科学系,吉林大学电子科学系 85届毕业生
• 出 处: 仪表材料
• 发表日期: 1985年06期
• 关键词: 霍尔迁移率 InP 电学性质 x)Ga_xAs_yP 内测量 霍尔系数 声子散射 电子迁移率 外延层 实验数据

在77—400K温度范围内测量了Ⅲ—V族合金InP和In_(1-x)Ga_(?)AsyP_(1-y)的电子霍尔迁移率.利用迁移率公式,分析了两种材料的散射机构,得出总杂质密度等材料参数.

The electron Hall mobility of InP and In_ (1-x) Ga_ (?) AsyP_ (1-y) was measured in the temperature range of 77-400 K. The mobility of the two materials Scattering agencies, derived total impurity density and other material parameters.