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绝缘基硅晶片（silicon-on—insulator简称SOI）是一种将导电硅膜覆于绝缘氧化硅基底的技术．这种技术目前发展迅猛，广泛地用于高速电子电路和传感器．SOI大部分期望性能依赖于将硅膜做得尽可能薄，但是随着研究者们将硅膜做得越薄，他们就越担心由硅晶体缺陷在接触面产生的载流子会破坏材料的电学性质．