【摘 要】
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采用原位聚合法制备了PI/TiO2和PI/SiO2纳米复合薄膜。研究质量分数均为10%的两种纳米掺杂对PI复合薄膜介电性能的影响,采用光刺激放电电流法（PSD）表征两种纳米颗粒对PI复合薄
【机 构】
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哈尔滨理工大学应用科学学院,哈尔滨理工大学教育部工程电介质及其应用重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（51337002,51307046）
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采用原位聚合法制备了PI/TiO2和PI/SiO2纳米复合薄膜。研究质量分数均为10%的两种纳米掺杂对PI复合薄膜介电性能的影响,采用光刺激放电电流法（PSD）表征两种纳米颗粒对PI复合薄膜陷阱能级的影响,通过陷阱理论对介电性能的影响机制进行探讨。结果表明：TiO2和SiO2纳米掺杂提高了PI的电导率和介电常数,介质损耗相应增加,耐电晕寿命明显提高,电气强度虽有所下降但仍满足实际需要。两种纳米掺杂都在PI基体中引入了大量的浅陷阱,PI/TiO2和PI/SiO2复合薄膜的陷阱能级范围分别为1.83～2.85
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