【摘 要】
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意法半导体推出全新M系列1 200 V IGBT,以先进的沟栅式场截止技术(trench-gate field-stop)为特色,有效提升太阳能逆变器(solar inverters)、电焊机(welding equipment)、不
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意法半导体推出全新M系列1 200 V IGBT,以先进的沟栅式场截止技术(trench-gate field-stop)为特色,有效提升太阳能逆变器(solar inverters)、电焊机(welding equipment)、不间断电源(uninterruptible power supplies)与工业电机驱动器等多项目标应用的能效和可靠性。高度优化的导通性和关断性以及低导通损耗(low turn-on loss),让全新的改进型IGBT特别适用于执行工作频率高达20 kHz的硬开关电路(hardswitching circuit);最高工作温度提高至175℃,宽安全工作范围(SOA,safe
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