【摘 要】
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南京电子器件研究所基于自有的8寸硅基射频微系统工艺线,研制了一款工作在X波段输出功率1W的高集成度单通道硅基三维集成器件.该器件以高阻硅为原材料,结合TSV转接板、晶圆级
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京,210016
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南京电子器件研究所基于自有的8寸硅基射频微系统工艺线,研制了一款工作在X波段输出功率1W的高集成度单通道硅基三维集成器件.该器件以高阻硅为原材料,结合TSV转接板、晶圆级键合、高密度RDL以及多层BGA POP等三维集成工艺技术,在8.5 mm × 8.5 mm × 3.0mm的体积内实现了GaAs多功能芯片、收发电源调制芯片、串并转换接口芯片以及IPD的一体化集成;该器件具备了相控阵T/R组件所需的收发信号的移相、衰减、放大、SPI控制、电源调制以及栅稳压等功能,其发射输出功率约为30dBm,接收增益大于23.5 dB,接收输出P-1dB大于-5dBm,噪声系数小于3.2 dB,移相精度RMS小于4°,衰减精度RMS小于0.5 dB.该器件体积小、重量轻、集成度高.
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