【摘 要】
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介绍了一种可提供1.438 V基准电压的曲率补偿带隙基准源。采用一种极其简单有效的方法,直接实现曲率补偿。该电路采用双金属双多晶硅0.6μm CMOS工艺制造,用于驱动一个10位20
【机 构】
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北京大学微电子系,清华大学微电子研究所,清华大学微电子研究所,北京大学微电子系 北京100871,北京100084,北京100084,北京100871
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介绍了一种可提供1.438 V基准电压的曲率补偿带隙基准源。采用一种极其简单有效的方法,直接实现曲率补偿。该电路采用双金属双多晶硅0.6μm CMOS工艺制造,用于驱动一个10位20 MS/s A/D转换器。仿真结果显示,该带隙基准源在室温5 V电源电压下,仅耗用64μA电流;0~80°C范围内,温度系数为13.7 ppm/K,电源电压抑制比为64.7 dB。
A curvature compensated bandgap reference source that provides a 1.438 V reference voltage is presented. Using an extremely simple and effective method, direct curvature compensation. The circuit is fabricated in a bimetallic dual polysilicon 0.6μm CMOS process to drive a 10-bit, 20 MS / s A / D converter. The simulation results show that the bandgap reference only consumes 64μA at 5V supply voltage and the temperature coefficient is 13.7ppm / K in the range of 0 ~ 80 ° C, and the supply voltage rejection ratio is 64.7dB.
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