【摘 要】
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为了能及时地直接分析 PCM(Process Control Monitor)参数异常及电路失效原因,我们在 PCM 参数测试系统(如 HP4062,Ag 4070系列)上开发了 MOS C-V 测试分析功能。鉴于目前 MOS 工
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为了能及时地直接分析 PCM(Process Control Monitor)参数异常及电路失效原因,我们在 PCM 参数测试系统(如 HP4062,Ag 4070系列)上开发了 MOS C-V 测试分析功能。鉴于目前 MOS 工艺水平不断提高,最终产品片上硅表面空间电荷区少子产生寿命在数100μS以上,传统 C-V 分析技术不再适用,因此不能对参数失效电路进行有效分析。为此我们又在 PCM 参数测试系统上开发了一个新的 C-V 分析模式:建立 Ziegler 分析功能,以获得 MOS 晶体管沟道区掺杂剖
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