【摘 要】
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采用分子动力学方法模拟了碳在晶体硅基底上的沉积过程,并分析计算了所沉积的类金刚石薄膜的面向及法向热导率.对沉积过程的模拟表明,薄膜密度及sp^3杂化类型的碳原子所占比
【机 构】
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清华大学工程力学系,中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
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采用分子动力学方法模拟了碳在晶体硅基底上的沉积过程,并分析计算了所沉积的类金刚石薄膜的面向及法向热导率.对沉积过程的模拟表明,薄膜密度及sp^3杂化类型的碳原子所占比例均随沉积高度的增加而减小,在碳原子以1 e V能量垂直入射的情况下,在硅基底上沉积的薄膜密度约为2.8 g/cm^3,sp^3杂化类型的碳原子所占比例约为22%,均低于碳在金刚石基底上沉积的情况.采用Green-Kubo方法,计算了所沉积类金刚石薄膜的热导率,其面向热导率可以达到相同尺寸规则金刚石晶体的50%左右,并且随着薄膜密度与sp^3
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