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【摘 要】
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对无体接触的深亚微米部分耗尽型SOI NMOSFET器件的输出特性分别进行了等温、非等温和非等温能量输运3种模式的模拟,结果表明:SiO2埋层的低导热率使器件在静态工作条件下硅膜
【机 构】
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西安微电子技术研究所,
【出 处】
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武汉大学学报(工学版)
【发表日期】
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2010年02期
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