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从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布，压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤，并讨论了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和Ｉｎ球熔焊的Ａｕ丝力损伤。
GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的电极引接损伤研究
【摘 要】
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从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布，压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤，并讨论了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和Ｉｎ球熔焊的Ａｕ丝力损伤。
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083,红外物理国家实验室上海200083,上海200083
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1993年5期
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