HgI2晶体溅射Au电极与化学镀Au电极的I-V特性

• 作 者: 许岗 介万奇 李高宏
• 机 构: 西北工业大学材料科学与工程学院,西安工业大学材料与化工学院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2009年4期
• 关键词: 碘化汞 Au AuCl3 接触特性 I-V 特性 HgI2 Au AuCl3 contact properties I-V Character
• 基金项目: 西安应用材料创新基金（No.XA-AM-200811）

利用Agilent4155型CVIV测试仪测定了分别采用溅射Au和涂敷氯金酸（AuCI3溶液）作为电极材料时HgI2晶体的I-V特性。测试表明，Au／HgI2和AuCl3／HgI2的欧姆接触特性值b分别为0．89和1．06，HgI2晶体的电阻率为10^9Ω·cm。计算接触电阻R。的结果表明，Au／HgI2与AuCl3／HgI2接触电阻为1．6×10^8Ω和4．3×10^6Ω；AuCl3／HgI2更容易产生较低的接触电阻，形成良好的欧姆接触。分析认为AuCl3／HgI2接触中电