【摘 要】
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在分子束外延(MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构,并对样品进行光电流谱的测试.通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置,量子点中载流子所处束缚
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
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在分子束外延(MBE)系统上用自组织方式生长了硅基双层锗量子点结构,并对样品进行光电流谱的测试.通过调节不同外加偏压来改变量子点中的费米能级位置,量子点中载流子所处束缚能级将随之发生变化,所得到的光电流谱的峰位也将因此而改变.由光电流谱得到的实验结果与常规的光致发光谱的结果相吻合.与单层锗量子点结构相比,双层结构的样品在光电特性上有着明显不同:光电流谱中,在o.767 eV及0.869 eV处出现了两个峰,分别对应于载流子在不同的量子点层中的吸收.用这种结构的样品制成的红外光探测器能够同时对两种不同波长的
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