GaI等电子系列TcXⅢ的能级和振子强度的理论计算

• 作 者: 袁相津 董晨钟 余庚荪
• 机 构: 西北师范大学物理系,西北师范大学物理系
• 出 处: 原子与分子物理学报
• 发表日期: 1990年S1期
• 关键词: 等电子系列 GAI TcX 振子强度 能级结构 离化 波长数 理论分析 宇称 强相互作用

类GaI等电子系列离子的基组态是4s~24P,较低激发组态是4s4p~2、4s~24d和4p~3。对于GaI-BrV的4s~24p、4s4p~2、4s~24d和4s~25s组态的能级早已有可靠的数据(1),对KrVl的这几个组态的能级也完全可从文献(2)给出的有关谱线的波长数据推出。近来,J.Reader等人的工作(3、4)又把这一研究扩展到了更高离化态的离子上,建立了RbV—MoⅩⅡ的4s~2 4p、4s4p~2、4s~25s组态的实验能谱数据。在此基础上,我们近期对这一等电子系列TeⅩⅢ—SnⅩⅩ的能