【摘 要】
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This work reports a demonstration of electrically injected GaN-based near-ultraviolet microdisk laser diodes with a lasing wavelength of 386.3?nm at room temperature. The crack-free laser structure was epitaxially grown on Si substrates using an Al-compos
【机 构】
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KeyLaboratoryofNano-DevicesandApplications,SuzhouInstituteofNano-TechandNano-Bionics,ChineseAcademyo
【出 处】
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PhotonicsResearch
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This work reports a demonstration of electrically injected GaN-based near-ultraviolet microdisk laser diodes with a lasing wavelength of 386.3?nm at room temperature. The crack-free laser structure was epitaxially grown on Si substrates using an Al-composed down-graded AlN/AlGaN multilayer buffer to mitigate the mismatches in the lattice constant and coefficient of thermal expansion, and processed into “sandwich-like” microdisk structures with a radius of 12?μm. Air-bridge electrodes were successfully fabricated to enable the device electrical characterization. The electrically pumped lasing of the as-fabricated microdisk laser diodes was evidenced by the rapid narrowing down of electroluminescence spectra and dramatic increase in the light output power, as the current exceeded the threshold of 248?mA.
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本文提出了包含主激光器注入光频率与受迫激光器纵模频率之间失谐影响的新的速率方程模型,并给出了数值解. 注入功率、注入波长和频率先谐等因素对短脉冲注入锁定染料激光器的影响也进行了讨论.
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