激光源直流光电导法测硅中少子寿命

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一、前言 非平衡少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的重要参数之一,它可反映出材料的杂质和缺陷情况。 所谓少子寿命,是在均匀半导体中,少数载流子产生与复合之间的平均时间间隔,也就是非平衡少数载流子平均存在的时间。 I. INTRODUCTION Unbalanced minority carrier lifetime (referred to as minority son lifetime) is one of the important parameters of semiconductor materials, which can reflect the material impurities and defects. The so-called less child life, in a homogeneous semiconductor, the average minority carrier generation and recombination between the time interval, that is, the existence of unbalanced minority carriers, the average time.
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