【摘 要】
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基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2的能带结构、态密度以及分电荷分布。结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO2的带隙值分别为1.109eV、1.86eV、1.
【基金项目】
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重庆市教委科技项目资助(KJ1601128),重庆市高校微纳米材料工程与技术重点实验室开放课题基金(KF2016012),重庆市高校新型储能器件及应用工程研究中心开放课题资助(KF20170106).
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基于第一性原理方法研究了C单掺杂SnO2和C-X(X=Y,Zr)共掺杂SnO2的能带结构、态密度以及分电荷分布。结果表明:C掺杂、C-Y、C-Zr共掺杂SnO2的带隙值分别为1.109eV、1.86eV、1.214eV,较超胞结构的带隙值降低,有利于电子的跃迁;C-Y共掺杂SnO2的导带底部有3条杂质能级分离出来,C-Zr共掺杂SnO2的能带价带顶部能级中有3条能级分离出来,其中1条能级贯穿费米能级;C-Y,C-Zr共掺杂SnO2的态密度中在低能区会产生1个态密度峰值,部分态密度的峰值由Y、Zr的d轨道贡
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