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使用0．25μm GaAs PHEMT工艺技术，设计和制造了性能优良的5-22 GHz两级并联反馈单片低噪声放大器。在工作频率5-22 GHz内，测得增益G≥18dB，带内增益波动ZxG≤±0．35dB，噪声系数NF≤3．2dB，输入输出驻波VSWR≤1．7，最小分贝压缩点输出功率P1dB≥10．5dBm，电流增益效率达2．77mA／dB。测试结果验证了设计的正确性。